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士兰微电子--超结MOS功率管-SVS5N60FJHD2--深圳市科瑞芯电子

打印此文发布时间：2023/3/17 15:32:43

信息类型：供应

SVS5N60FJHD2 电子元器件 Silan/士兰微封装TO-220FJH-3L 超结MOS功率管

SVS5N60F(D)(FJH)(FJ)D2 N 沟道增强型高压功率MOSFET采用士兰微电子超结MOS技术平台制造，具有很低的传导损耗和开关损耗。使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。

此外，SVF5N60F(D)(FJH)(FJ)D2应用广泛。如，适用于硬/软开关拓扑。

主要特点
5A,600V, RDS(on)(typ.)=0.70W@VGS=10V
创新高压技术
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力
较高的峰值电流能力

封装：TO-252-2L
TO-220FJH-3L
TO-220FJ-3L
TO-220-3L

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