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士蘭微電子超結MOS功率管-SVS11N65F-封裝TO-262-3L

打印此文發布時間：2022/12/16 15:43:23

信息類型：供應

SVS11N65F 電子元器件 Silan/士蘭微封裝TO-262-3L 超結MOS功率管

SVS11N65D/F/S/FJD2 N溝道增強型高壓功率MOSFET采用士蘭微電子超結MOS技術制造，具有很低的傳導損耗和開關損耗。使得功率轉換器具有高效，高功率密度，提高熱行為。

此外，SVS11N65D/F/S/FJD2應用廣泛。如，適用于硬/軟開關拓撲。

主要特點
11A,650V, RDS(on)(typ.)=0.33W@VGS=10V
創新高壓技術
低柵極電荷
較強的雪崩能力
較強的dv/dt能力
較高的峰值電流能力

封裝：TO-262-3L
TO-252-2L
TO-220FJ-3L
TO-220F-3L

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